PN 結是二極管的結構，其單向導電性源于載流子的擴散與漂移運動。當 P 型（空穴多）與 N 型（電子多）半導體結合時，交界處形成內建電場（約 0.7V 硅材料），阻止載流子進一步擴散。正向導通時（P 接正、N 接負），外電場削弱內建電場，空穴與電子大量穿越結區，形成低阻通路，硅管正向壓降約 0.7V，電流與電壓呈指數關系（I=I S(e V/V T?1)，VT≈26mV）。反向截止時（P 接負、N 接正），外電場增強內建電場，少數載流子（P 區電子、N 區空穴）形成漏電流（硅管＜1μA），直至反向電壓達擊穿閾值（如 1N4007 耐壓 1000V）。此特性使 PN 結成為整流、開關等應用的基礎，例如 1N4148 開關二極管利用 PN 結電容充放電，實現 4ns 級快速切換。快恢復二極管縮短反向恢復時間，提升高頻電路效率。龍崗區二極管價目表

1907 年，英國科學家史密斯發現碳化硅晶體的電致發光現象，雖亮度 0.1mcd（燭光 / 平方米），卻埋下 LED 的種子。1962 年，通用電氣工程師霍洛尼亞克發明首只紅光 LED（GaAsP），光效 1lm/W，主要用于儀器面板指示燈；1972 年，惠普推出綠光 LED（GaP），光效提升至 10lm/W，使七段數碼管顯示成為可能，計算器與電子表從此擁有清晰讀數。1993 年，中村修二突破氮化鎵外延技術，藍光 LED（InGaN）光效達 20lm/W，與紅綠光組合實現全彩顯示 —— 這一突破使 LED 從 “指示燈” 升級為 “光源”，2014 年中村因此獲諾貝爾獎。 21 世紀，LED 進入爆發期：2006 年，白光 LED（熒光粉轉換）光效突破 100lm/W，替代白熾燈成為主流照明；2017 年，Micro-LED 技術將二極管尺寸縮小至 10μm，像素密度達 5000PPI龍崗區二極管價目表發光二極管電光轉換高效，點亮照明與顯示領域。

從產業格局來看，全球二極管市場競爭激烈且呈現多元化態勢。一方面，歐美、日本等傳統半導體強國的企業，憑借深厚的技術積累與品牌優勢，在二極管市場占據主導地位；另一方面，以中國為的新興經濟體，正通過加大研發投入、完善產業鏈布局，在中低端市場不斷鞏固優勢，并逐步向領域突破。從市場趨勢上，隨著各應用領域對二極管需求的持續增長，市場規模將穩步擴大。同時，技術創新將驅動產品差異化競爭，具備高性能、高可靠性、小型化、低功耗等特性的二極管產品，將在市場競爭中脫穎而出，產業發展新方向。

二極管基礎的用途是整流 —— 將交流電轉換為直流電。硅整流二極管（如 1N4007）通過面接觸型 PN 結實現大電流導通，其 1000V 耐壓和 1A 電流承載能力，多樣用于家電電源適配器。在開關電源中，快恢復二極管（FRD）以 50ns 反向恢復時間，在 400kHz 頻率下實現高效整流，較傳統工頻整流效率提升 30%。工業場景中，高壓硅堆（如 6kV/50A）由數十個二極管串聯而成，用于變頻器和電焊機，可承受 20 倍額定電流的浪涌沖擊，保障工業設備穩定供電。整流二極管的存在，讓電網的交流電得以轉化為電子設備所需的直流電，成為電力轉換的基礎元件。隧道二極管用量子隧穿效應，適用于超高頻振蕩場景。

5G 通信網絡的大規模建設與普及，為二極管帶來了廣闊的應用前景。5G 基站設備對高頻、高速、低功耗的二極管需求極為迫切。例如，氮化鎵（GaN）二極管憑借其的電子遷移率和高頻性能，在 5G 基站的射頻前端電路中，可實現高效的信號放大與切換，大幅提升基站的信號處理能力與覆蓋范圍。同時，5G 通信的高速數據傳輸需求，使得高速開關二極管用于信號調制與解調，保障數據傳輸的穩定性與準確性。隨著 5G 網絡向偏遠地區延伸以及與物聯網的深度融合，對二極管的需求將持續攀升，推動其技術不斷革新，以滿足更復雜、更嚴苛的通信環境要求。二極管并聯使用時要注意均流問題，串聯時要考慮均壓問題。龍崗區二極管價目表

小功率穩壓二極管體積小，適用于對空間要求高的電路。龍崗區二極管價目表

碳化硅（SiC）：3.26eV 帶隙與 2.5×10? V/cm 擊穿場強，使 C4D201（1200V/20A）等器件在光伏逆變器中效率突破 98%，較硅基方案體積縮小 40%，同時耐受 175℃高溫，適配電動汽車 OBC 充電機的嚴苛環境。在 1MW 光伏電站中，SiC 二極管每年可減少 1500 度電能損耗，相當于 9 戶家庭的年用電量。 氮化鎵（GaN）：電子遷移率達 8500cm?/Vs（硅的 20 倍），GS61008T（650V/30A）在手機 100W 快充中實現 1MHz 開關頻率，正向壓降 0.8V，充電器體積較傳統硅基方案縮小 60%，充電效率提升 30%，推動 “氮化鎵快充” 成為市場主流，目前全球超 50% 的手機快充已采用 GaN 器件。龍崗區二極管價目表