在材料科學領域，研究人員通常需要了解不同材料在受熱環境下的導熱性能與熱響應特性。傳統的熱分析方法多為宏觀測量，難以揭示微觀層面的溫度變化。而熱紅外顯微鏡通過高分辨率的紅外成像能力，能夠將材料表面的溫度分布清晰呈現出來，從而幫助研究人員深入理解材料的導熱機制和失效模式。例如，在新型復合材料研究中，熱紅外顯微鏡能夠直觀顯示各組分在受熱條件下的熱擴散差異，為材料結構優化提供實驗依據。同時，該設備還能與其他光學顯微技術聯用，形成多維度的檢測體系，使得實驗數據更具完整性。熱紅外顯微鏡不僅在基礎研究中發揮重要作用，也為新型材料的產業化應用提供了強有力的驗證工具，推動了從實驗室到工程應用的快速轉化。制冷型 vs 非制冷型可根據成本 /靈敏度 /散熱條件選擇。半導體熱紅外顯微鏡范圍

隨著芯片封裝復雜度和功率密度的不斷提升，Thermal EMMI 技術也在快速演進。致晟光電未來也會、向更高靈敏度、更高分辨率和自動化分析方向發展。結合AI圖像識別算法，系統可自動識別發熱點形態、分類異常類型，甚至根據熱分布趨勢推測潛在的失效機理。此外，時間分辨熱成像與3D熱建模功能的引入，使工程師能在納秒級尺度上觀察熱擴散動態，構建器件的真實熱行為模型。未來，Thermal EMMI 將與電特性測試、紅外LIT、聲學顯微鏡等多模態技術深度融合，形成智能化的綜合失效分析平臺，幫助工程師從“看到熱”邁向“理解熱”。國內熱紅外顯微鏡工作原理熱紅外顯微鏡成像儀支持實時動態成像，能記錄樣品在不同環境下的溫度分布動態變化過程。

作為國內半導體失效分析設備領域的原廠，蘇州致晟光電科技有限公司（簡稱“致晟光電”）專注于ThermalEMMI系統的研發與制造。與傳統熱紅外顯微鏡相比，ThermalEMMI的主要差異在于其功能定位：它并非對溫度分布進行基礎測量，而是通過精確捕捉芯片工作時因電流異常產生的微弱紅外輻射，直接實現對漏電、短路、靜**穿等電學缺陷的定位。該設備的重要技術優勢體現在超高靈敏度與微米級分辨率上：不僅能識別納瓦級功耗所產生的局部熱熱點，還能確保缺陷定位的精細度，為半導體芯片的研發優化與量產階段的品質控制，提供了可靠的技術依據與數據支撐。

Thermal EMMI技術廣泛應用于電子和半導體行業的失效分析和缺陷定位，能夠精確捕捉芯片及電子元件在工作狀態下產生的熱異常，幫助工程師快速識別電流泄漏、短路、擊穿等潛在問題。該技術適用于晶圓制造、集成電路封裝、功率模塊檢測以及分立元器件的質量控制。對于車載功率芯片和第三代半導體器件，Thermal EMMI能夠滿足高靈敏度和高分辨率的檢測需求，提升產品的可靠性和性能穩定性。應用場景涵蓋研發實驗室的失效機制研究，也支持生產線的在線檢測和質量保證。其無接觸、無損傷的特點使得檢測過程對樣品無影響，適合高價值芯片和復雜結構的分析。該技術還與多種輔助分析手段配合使用，如FIB和SEM，形成完整的失效分析流程，助力客戶實現高效、精確的故障排查。蘇州致晟光電科技有限公司的解決方案在這一領域得到廣泛應用。熱紅外顯微鏡范圍：溫度測量范圍廣，可覆蓋 - 200℃至 1500℃，適配低溫超導材料到高溫金屬樣品的檢測。

晶圓EMMI技術將失效分析前置到晶圓制造環節，能夠在劃片封裝前對芯片進行質量篩查。在晶圓級測試中，當探針卡監測到某個芯片存在漏電或功能異常時，晶圓EMMI系統可以快速對該芯片進行微光掃描，定位缺陷在其內部的精確位置。這種在晶圓上直接定位的能力，為晶圓廠提供了寶貴的實時工藝反饋，能夠快速判斷缺陷是由光刻、刻蝕還是離子注入等特定工藝步驟引起。通過早期發現和分析晶圓上的缺陷，可以及時調整工藝參數，避免大批量廢品的產生，直接提升產線良率。非接觸式檢測也完全適應晶圓的無損檢測要求。蘇州致晟光電科技有限公司的晶圓EMMI解決方案，兼容主流晶圓尺寸，具備自動化測試能力，助力晶圓制造實現更高效的質量控制。熱紅外顯微鏡原理主要是通過光學系統聚焦紅外輻射，再經探測器將光信號轉化為可分析的溫度數據。半導體熱紅外顯微鏡范圍

熱紅外顯微鏡儀器集成精密光學系統與紅外探測模塊，可實現對微小區域的準確熱分析。半導體熱紅外顯微鏡范圍

在MOSFET、IGBT、GaN器件等功率半導體中，熱失控與局部過熱是**常見的失效源。Thermal EMMI熱紅外顯微鏡可在器件工作狀態下實時捕捉熱分布圖，識別出內部發熱異常區域。通過對熱圖中熱點位置與強度的分析，測試工程師能夠判斷結區是否存在擊穿、焊點空洞或導熱不均問題。蘇州致晟光電科技有限公司的“明星設備”RTTLIT S20憑借高靈敏中波制冷探測器，可準確分辨出器件內部微小的溫差變化，幫助用戶實現對功率芯片熱管理設計的驗證與改進。半導體熱紅外顯微鏡范圍