盡管鎖相紅外技術在檢測領域具有優勢，但受限于技術原理，它仍存在兩項局限性，需要在實際應用中結合場景需求進行平衡。首先，局限性是 “系統復雜度較高”：由于鎖相紅外技術需要對檢測對象施加周期性熱激勵，因此必須額外設計專門的熱激勵裝置 —— 不同的檢測對象（如半導體芯片、復合材料等）對激勵功率、頻率、方式的要求不同，需要針對性定制激勵方案，這不僅增加了設備的整體成本，也提高了系統搭建與調試的難度，尤其在多場景切換檢測時，需要頻繁調整激勵參數，對操作人員的技術水平提出了更高要求。致晟 LIT 憑 0.0001℃靈敏度，能捕 IC 柵極漏電這類微小缺陷。芯片用鎖相紅外熱成像系統P10

鎖相紅外熱成像系統平臺的重要優勢之一，在于其具備靈活的多模式激勵信號輸出能力，可根據被測目標的材質、結構及檢測需求，精細匹配比較好激勵方案。平臺內置的信號發生器支持正弦波、方波、三角波等多種波形輸出，頻率調節范圍覆蓋 0.01Hz-1kHz，輸出功率可根據目標尺寸與導熱特性進行 0-50W 的連續調節。例如，檢測金屬等高熱導率材料時，因熱傳導速度快，需采用高頻（100-500Hz）正弦波激勵，確保缺陷區域形成穩定的周期性熱響應；而檢測塑料、陶瓷等低熱導率材料時，低頻（0.1-10Hz）方波激勵能減少熱擴散損失，更易凸顯材料內部的熱阻差異。同時，平臺還支持自定義激勵信號編輯，工程師可通過配套軟件設置激勵信號的占空比、相位差等參數，適配特殊檢測場景，如航空復合材料層合板的分層檢測、動力電池極耳的焊接質量檢測等。這種多模式適配能力，使系統突破了單一激勵方式的局限性，實現了對不同行業、不同類型目標的多方面覆蓋檢測。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統平臺LIT技術已成為微光顯微鏡（EMMI）之后重要的熱類失效分析手段之一。

在半導體、微電子和功率器件領域，產品的性能與壽命往往取決于對熱效應的精細控制。然而，傳統的熱成像手段受限于靈敏度和分辨率，難以滿足現代高密度芯片和復雜封裝工藝的需求。鎖相紅外熱成像技術（Lock-in Thermography，簡稱LIT）憑借調制信號與熱響應的相位差分析，能夠有效放大微弱熱源信號，實現納瓦級的熱異常定位。這一突破性手段為失效分析提供了前所未有的精細性。致晟光電在該領域深耕多年，結合自身研發的熱紅外顯微鏡與InGaAs微光顯微鏡，為行業客戶提供了一套完整的高靈敏度檢測解決方案，廣泛應用于芯片短路點定位、功率器件散熱優化以及復合材料缺陷檢測，為半導體產業鏈的可靠性提升注入新動能。

在實際應用中，致晟光電的鎖相紅外檢測方案大多用于IC芯片、IGBT功率器件、MEMS器件以及復合材料等多個領域。例如，在芯片失效分析中，鎖相紅外能夠快速識別引腳短路與漏電流路徑，并通過相位分析定位至具體區域，幫助研發人員在短時間內找到失效根因。在功率器件檢測中，該技術可識別IGBT模塊中的局部熱點，防止因熱失控導致的器件擊穿，從而為新能源汽車、電力電子設備的可靠運行提供保障。在材料研究中，鎖相紅外能夠探測肉眼不可見的分層與微裂紋，輔助科研人員優化材料工藝。通過這些落地場景，致晟光電不僅為客戶節省了研發與測試成本，更推動了整個行業的質量標準向更高層次發展。空間分辨率高：結合顯微光學系統，可達微米級。

鎖相紅外熱成像系統的有效探測距離并非固定值，而是受鏡頭焦距、探測器靈敏度兩大**因素影響，在常規工業場景下，其探測距離通常可達數米至數十米，能滿足多數工業檢測需求。鏡頭焦距直接決定系統的視場角與空間分辨率，長焦距鏡頭可將探測距離延伸至數十米，但視場角較小，適用于遠距離定點檢測；短焦距鏡頭視場角大，探測距離相對較近，適合近距離大面積掃描。探測器靈敏度則影響系統對微弱信號的捕捉能力，高靈敏度探測器可在遠距離下捕捉到目標的微弱紅外輻射，進一步擴展有效探測距離。在安防監控領域，搭載長焦距鏡頭與高靈敏度探測器的鎖相紅外熱成像系統，可在 20-30 米距離內清晰識別夜間人體目標，即使在低光照環境下，也能通過精細探測實現可靠監控。鎖相紅外能夠在極低的信噪比條件下，識別出微小的熱異常區域，實現高靈敏度、定量化的缺陷定位。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統平臺

致晟光電技術團隊優化算法，實現實時鎖相熱成像。芯片用鎖相紅外熱成像系統P10

尤其在先進制程芯片研發過程中，鎖相紅外熱成像系統能夠解析瞬態熱行為和局部功耗分布，為優化電路布局、改善散熱方案提供科學依據。此外，該系統還可用于可靠性評估和失效分析，通過對不同環境和工況下器件的熱響應進行分析，為量產工藝改進及產品穩定性提升提供數據支撐。憑借高靈敏度、高空間分辨率和可靠的信號提取能力，鎖相紅外熱成像系統已經成為半導體研發與失效分析中不可或缺的技術手段，為工程師實現精細化熱管理和產品優化提供了有力保障。芯片用鎖相紅外熱成像系統P10